ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์ (Field Effect Transistor)
ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์ หรือ เฟท เป็นทรานซิสเตอร์ชนิดพิเศษที่ทำงานแบบยูนิโพลาร์ (Uni-polar) ซึ่งต่างจากทรานซิสเตอร์ธรรมดาที่เป็นอุปกรณ์ไบโพลาร์ (Bi-polar) กระแสที่เกิดขึ้นของทรานซิสเตอร์ธรรมดาได้มาจากการทำงานโดยการแลกเปลี่ยนระหว่างโฮลกับอิเล็กตรอน ส่วนเฟททำงานโดยให้กระแสไหลทางเดียวเท่านั้นเอง เราจึงเรียกว่าเฟทเป็น อุปกรณ์ยูนิโพลาร์
ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์เป็นที่นิยมแพร่หลายกันในปัจจุบันเนื่องจากว่าเฟทมีคุณสมบัติคล้ายกับหลอดสุญญากาศ คือ ทำงานโดยจะใช้แรงเคลื่อนไฟฟ้าทางอินพุทไปควบคุมกระแสทางด้านเอาท์พุท ผิดกับทรานซิสเตอร์ธรรมดาที่ใช้กระแสควบคุมกระแส ดังนั้นทรานซิสเตอร์จึงมีอินพุทอิมพีแดนซ์อยู่ในระดับกลางเท่านั้น ในขณะที่เฟทมีอินพุทอิมพีแดนซ์สูงมากทำให้มีข้อดีต่อวงจรขยายเสียงเป็นอย่างมาก วงจรขยายเสียงในปัจจุบันถ้าต้องการคุณภาพจึงหันมาเลือกใช้เฟท (FET)
การทำงานของ ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์หรือเฟท อาศัยหลักการเปลี่ยนแปลงสนามไฟฟ้า (Field) โดยใช้แรงเคลื่อนสนามไฟฟ้าเพียงเล็กน้อยเป็นตัวควบคุม สิ่งนี้เองที่ทำให้สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำชนิดนี้ถูกเรียกว่า “ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์”
ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์หรือเฟท สามารถแบ่งออกเป็น 2 ชนิดใหญ่ๆ คือ
1. เจเฟท (J-FET) เป็นทรานซิสเตอร์ที่ประกอบมาจากหัวต่อ P-N การทำงานของเฟทชนิดนี้จะใช้หลักการพองตัวของสนามไฟฟ้าในรูปของดีพลีชั่นตรงช่วงรอยต่อ พี-เอ็น
2. มอสเฟท (MOS-FET) เป็นเฟทที่มีโครงสร้างแตกต่างไปจากเจเฟท เพราะที่ขาเกตจะมีฉนวนกั้น การทำงานจะใช้การเหนี่ยวนำของสนามไฟฟ้าแทนที่จะใช้การพองตัวของดีพลีชั่นโดยตรง
เจเฟต (Junction Field Effect Transistor) เมื่อพิจารณาคามโครงสร้างดังรูปที่ 1 จะพบว่าเจเฟตมี 2 ชนิด คือ เจเฟตชนิดเอ็นแชนแนล ดังรูปที่1 ก. และชนิด พีแชนแนล ดังรูปที่ 1 ข. เจเฟตนั้นมีขาต่อใช้งาน 3 ขา คือ ขาเดรน (D) ขาเกต (G) และขาซอร์ส (S) เจเฟตชนิดเอ็นแชนแนลชิ้นสารชนิดเอ็นจะเป็นขาเดรนและขาซอร์ส สำหรับขาเกตจะเป็นชิ้นสารชนิดพี ดังรูปที่1 ก. ส่วนเจเฟตชนิดพีแชนแนลนั้น ขาเดรนและขาซอร์สจะเป็นชิ้นสารชนิดพี สำหรับขาเกตจะเป็นชิ้นสารชนิดเอ็น ดังรูปที่1 ข.
รูปที่ 1 แสดงโครงสร้างเจเฟตชนิดเอ็นแชนแนลและชนิดพีแชนแนล
2. การจัดไบอัสให้เจเฟต
เมื่อป้อนแรงดันไบอัสที่ขาเดรนและขาซอร์สโดยแหล่งจ่าย VDD ให้ขั้วบวกกับขาเดรน (D) และขั้วลบกับขาซอร์ส (S) ส่วนขาเกต (G) กับขาซอร์ส (S) จะให้ไบอัสกลับซึ่งเจเฟตชนิดเอ็นแชนแนล ขาเกตเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดพี (P-Type) ดังนั้นแรงดันไบอัสที่ขาเกต VGG ต้องให้ไฟลบกับขาเกตและไฟบวกกับขาซอร์สดังรูปที่ 2
รูปที่ 2 แสดงการไบอัสเจเฟตชนิดเอ็นแชนแนล
เมื่อให้ไบอัสกลับที่ขาเกตเมื่อเทียบกับขาซอร์ส (VGS) จะเกิดสนามไฟฟ้าที่รอยต่อพี – เอ็น ทั้งสองด้านขึ้นทำให้ช่องทางเดินของกระแสในสารเอ็น (เนื้อสารส่วนใหญ่) ระหว่างขาเดรนกับขาซอร์สแคบลง กระแสเดรน (ID) จะไหลจากขาเดรนไปสู่ขาซอร์สได้จำนวนหนึ่ง
ถ้าปรับค่าแรงดันระหว่างขาเกตกับขาซอร์ส (VGS) ให้มีค่าไบอัสกลับน้อยลงจะทำให้ช่องทางเดินของกระแสระหว่างขาเดรนกับขาซอร์สมีขนาดกว้างขึ้น ทำให้กระแสเดรนไหลได้สะดวกและมากขึ้น จากสภาวะดังกล่าวทำให้สามารถควบคุมปริมาณกระแสเดรน (ID) จะไหลผ่านเจเฟตได้ โดยการควบคุมแรงดันไบอัสกลับที่ขาเกตกับขาซอร์สของเจเฟต
3. สัญลักษณ์ของเจเฟต
สัญลักษณ์ของเจเฟตชนิดเอ็นแชนแนลนั้น หัวลูกศรที่ขาเกตจะชี้เข้า แต่ชนิดพีแชนแนล หัวลูกศรที่ขาเกตจะชี้ออก แสดงในรูปที่ 3
รูปที่ 3 แสดงสัญลักษณ์ของเจเฟตชนิด N-Channel และ P-Channel
4. ลักษณะสมบัติของเจเฟต
ลักษณะสมบัติของเจเฟตให้พิจารณาในรูปที่ 4 เมื่อเจเฟตเป็น N-Channel โดยให้ขา D มีศักย์สูงกว่าขา S และสำหรับเจเฟตชนิด P-Channel ให้ขา D มีศักย์ต่ำกว่าขา S เมื่อขา G-S ให้ไบอัสกลับทำให้เกิดสนามไฟฟ้าขึ้นที่ช่อง (Channel) เป็นผลให้ความนำไฟฟ้าระหว่างขา D กับ S ลดลง กระแสเดรน ID ก็มีค่าลดลง ถ้าไบอัสกลับที่ขา G-S มากขึ้นจนกระทั่งกระแสเดรนเท่ากับศูนย์พอดีค่าแรงดันไบอัสกลับนี้เรียกว่า “Pinch Off Voltage” (VP) หรือ VGS(Off) และถ้าให้แรงดันที่ขา G-S ของเจเฟตให้มีค่า 0 โวลต์ (VGS = 0 V) จะมีกระแสไหลผ่านเจเฟตคงที่ค่าหนึ่งเรียกว่ากระแส IDSS ดังรูปที่ 4
รูปที่ 4 กราฟลักษณะสมบัติการโอนย้ายและลักษณะสมบัติด้านเดรนของเจเฟตชนิด N-Channel
ในการห่าค่ากระแสเดรน ID ย่านทำงานหรือย่านแอคทีฟ เมื่อแรงดันระหว่างเดรนกับซอร์ส VDS คงที่ในแต่ละค่าที่พิจารณาหาได้จาก
IDSS = กระแสอิ่มตัวระหว่างเดรนกับซอร์ส เมื่อ VGS = 0
VGS = แรงดันระหว่างเกตกับซอร์ส
VP = แรงดันพินออฟหรือแรงดันระหว่างเกตกับซอร์ส (VGS (Off)) ที่ทำให้ ID = 0
ลักษณะสมบัติอีกอย่างหนึ่งเมื่อ VGS คงที่ เพิ่มค่าแรงดัน VDS ขึ้นเรื่อยๆ ก็จะทำให้กระแสเดรนเพิ่มขึ้น ซึ่งลักษณะสมบัตินี้ เจเฟตจะเหมือนกับตัวต้านทานคงที่ตัวหนึ่ง การทำงานในย่านนี้เรียกว่า “ย่านโอห์มมิก” แต่ถ้าเพิ่มค่าแรงดัน VDS ขึ้นเรื่อยๆ ถึงจุดๆ หนึ่ง กระแสเดรน (ID) จะไม่เพิ่มอีกหรือมีค่าคงที่ นั่นคือเจเฟตทำงานอยู่ในย่านอิ่มตัวค่าแรงดัน VDS นี้เรียกว่า VDS (Sat) สามารถหาได้จาก
5. เฟตชนิดออกไซด์ของโลหะ (มอสเฟต)
มอสเฟตแตกต่างจากเจเฟตที่โครงสร้างภายในเจเฟตนั้น ระหว่างเกตกับช่องทางเดินกระแสมีโครงสร้างเป็นรอยต่อพี-เอ็นแต่มอสเฟตนั้นระหว่างเกตกับช่องทางเดินกระแสมีโครงสร้างเป็นชั้นของซิลิกอนไดออกไซด์ มอสเฟตมี 2 ชนิดคือ มอสเฟตดีพลีชั่นและมอสเฟตเอ็นฮานซ์เมนต์
6.มอสเฟตชนิดดีพลีชั่น
โครงสร้างพื้นฐานของดีมอสเฟตแสดงดังรูปที่ 5 ถ้าเป็นชนิดเอ็นแชนแนลช่องทางเดินกระแสระหว่างเดรนและซอร์สจะเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและมีวัสดุรองฐานเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดตรงข้าม ดังรูปที่ 5 ก. สำหรับดีมอสเฟตชนิดพีแชนแนล จะมีช่องทางเดินกระแสระหว่างเดรนและซอร์สเป็นสารชนิดพีและมีวัสดุรองเป็นสารชนิดเอ็น ดังรูปที่ 5 ข. และมีเกตติดอยู่ระหว่างช่องทางเดินกระแสโดยมีซิลิกอนไดออกไซด์เป็นฉนวนกั้นระหว่างเกตกับช่องทางเดินกระแส
เนื่องจากดีมอสเฟตทำงานได้ใน 2 ลักษณะคือ ดีพลีชั่นโหมดด้วยการควบคุมกระแสเดรนด้วยแรงดันเกตที่เป็นลบและเอ็นฮานซ์เมนต์โหมด โดยการใช้แรงดันเกตที่เป็นบวกควบคุมการไหลของกระแสเดรน
ก. ข.
รูปที่ 5 แสดงโครงสร้างพื้นฐานของดีมอสเฟต
7. เอนฮานซ์เมนต์โหมด
คือการไบอัสเกตของดีมอสเฟตด้วยแรงดันบวก ดังรูปที่ 6 ก. จะเห็นว่าเกตของดีมอสเฟตจะได้รับประจุบวกจากแหล่งจ่าย VGG ทำให้ในแชนแนลของดีมอสเฟตเป็นประจุลบ ทำให้ช่องทางเดินกระแสระหว่างแดรนกับซอร์สไม่มีประจุชนิดตรงกันข้ามกับแชนแนลคอยบีบแชนแนลให้แคบลงทำให้กระแสเดรนไหลได้น้อยลง เพราะประจุลบในแขนแนลมีค่าลดลงเป็นศูนย์ สัญลักษณ์ของดีมอสเฟตทั้งชนิดเอ็นแชนแนลและชนิดพีแชนแนลดังรูปที่ 6
ก. ข.
รูปที่ 6 แสดงสัญลักษณ์ของดีมอสเฟต N-Channel และ P-Channel
8. คุณลักษณะการถ่ายโอนของดีมอสเฟต
กราฟคุณลักษณะการถ่ายโอนของดีมอสเฟตชนิดเอ็นแชนแนลและพีแชนแนล แสดงดังรูปที่ 7 ก.,ข. ตามลำดับที่จุด VGS = 0 V ของกราฟจะได้ค่าของ ID = IDSS และเมื่อ ID = 0 V จะได้ค่า VGS (Off) จะเป็นกรณีเอ็นแชนแนล, VGS (Off) = -VGS และกรณีพีแชนแนล , VGS (Off) = + VGS ดังรูปที่ 7
ก. ข.
รูปที่ 7 แสดงกราฟคุณลักษณะการถ่ายโอนของดีมอสเฟตทั้งสองชนิด
9. การวัดและทดสอบเจเฟตด้วยโอห์มมิเตอร์
การตรวจสอบเจเฟตว่าดีหรือเสียด้วยใช้โอห์มมิเตอร์ กรณีที่รู้ตำแหน่งขาแล้วให้ตั้งตำแหน่งการวัดไปที่สเกล R x 10 เนื่องจากที่เกตและซอร์สและเกตกับเดรนเป็นรอยต่อพี-เอ็นเหมือนไดโอด ดังนั้นถ้าวัดค่าความต้านทานที่เกตกับซอร์ส หรือเกตกับเดรนครั้งหนึ่งแล้วกลับขั้วมิเตอร์ วัดที่ตำแหน่งเดิมอีกครั้งจะได้ค่าความต้านทานต่ำหนึ่งค่า กับค่าความต้านทานสูงหนึ่งค่า ถ้าวัดระหว่างซอร์สกับเดรนแล้วกลับขั้ววัดใหม่ อีกครั้งจะได้ค่าความต้านทานเท่ากันทั้งสองครั้ง ถ้าวัดได้ตามนี้แสดงว่าเจเฟตยังใช้งานได้
ในกรณีที่ไม่รู้ขาของเฟตและต้องการวัดหาขาของเฟตโดยไม่เปิดคู่มือโดยวิธี การวัดขาเป็นคู่ๆ ( โดยใส่สเกล R x 10 เหมือน ) พร้อมทั้งกลับขั้วของมิเตอร์ ถ้าคู่ใดกลับขั้วแล้ววัดได้ค่าความต้านทานเท่ากัน 2 ครั้ง ขาคู่นั้นคือ ขาซอร์สกับเดรนโดยขาร่วมเป็นขาเกต ถ้าขาร่วมเป็นศักย์ไฟบวกจากมิเตอร์ แสดงว่าเป็นแบบเอ็นแชนเนล ถ้าขาร่วมเป็นศักย์ไฟลบจากมิเตอร์แสดงว่าเป็นแบบพีแชนเนล แต่ไม่สามารถที่จะแยกได้ว่าขาใดเป็นขาซอร์สและขาเดรน นอกจากจะเปิดดูจากหนังสือคู่มือหรือทดลองให้ไบอัส สำหรับขาซอร์สและเดรนนี้เจเฟตบางดตัวอาจใช้สลับกันได้ แต่บางเบอร์ก็มีโครงสร้างที่ไม่สามารถทำเช่นนี้ได้
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น